中低真空系統(tǒng)

減壓條件下的流動(dòng)氣體環(huán)境已用于低壓化學(xué)蒸發(fā)淀積、減壓外延和幾種等離子體工藝過程。所有這些工藝的共同環(huán)節(jié)是抽除有害氣體。機(jī)械泵和羅茨泵很適用于維持10至104Pa范圍的動(dòng)態(tài)壓強(qiáng)。在低壓化學(xué)蒸發(fā)淀積和等離子體工藝過程中，通過反應(yīng)室的氣流主要用來連續(xù)補(bǔ)充在生長(zhǎng)或蝕刻過程中所消耗掉的反應(yīng)劑。例如，在每批100片直徑76mm的基片的兩面上以20 nm/min的生長(zhǎng)速率來生長(zhǎng)膜層的多晶硅淀積時(shí)，通常要求300Pa·L/s的流量。氣體的消耗率和基片的數(shù)最、真空室的面積、膜層的生長(zhǎng)速率和氣體反應(yīng)劑的稀釋度與消耗量有關(guān)。

在某些商用減壓外延工藝中，大的氣流量稀釋反應(yīng)劑以進(jìn)行生長(zhǎng)而不是蝕刻。在低壓強(qiáng)下外延硅時(shí)，300Pa·L/s的反應(yīng)劑氣體流通常需要用105Pa·L/s左右的氫氣來進(jìn)行稀釋，并流過103至104帕壓強(qiáng)的反應(yīng)室。減壓外延是一個(gè)相當(dāng)新的技術(shù)，對(duì)于工藝過程的主要部分將保持這樣大小的載氣流量這一點(diǎn)是不清楚的。

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